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J-GLOBAL ID:200903045050942472
微細構造材料の製造方法並びにその製造装置、および微細構造を有する発光素子
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993230073
Publication number (International publication number):1995086164
Application date: Sep. 16, 1993
Publication date: Mar. 31, 1995
Summary:
【要約】【目的】 粒径および粒径分布の揃ったクラスター(量子箱)、それへの異種物質被覆、さらに配向性の高い1次元高分子、1次元電気伝導体、細線状クラスター等(量子細線)の微細構造材料の製造方法、製造装置および発光素子を提供することを目的とする。【構成】 第1の工程で生成したクラスター101の群と、第2の工程で生成したクラスター101よりバンドギャップの大きな物質102の原料粒子(原子・分子状態)103の群とを、同時あるいは交互に基板104に供給することにより、物質102中にクラスター101を、クラスターの密度を制御可能に、そして周辺に間隙を生じることなく緻密に埋め込む。
Claim (excerpt):
金属あるいは半導体からなるクラスターを生成させる第1の工程と、前記第1の工程によるクラスターよりもバンドギャップの大きな物質で半導体あるいは絶縁体の原子または分子状態の原料粒子を生成させる第2の工程とを有し、両工程を同時あるいは交互に繰り返し施し、前記物質中に前記クラスターを埋め込む微細構造材料の製造方法。
IPC (3):
H01L 21/203
, C23C 14/32
, G02F 1/35 503
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (10)
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特開平4-346282
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特開平4-155819
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半導体量子細線の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-026412
Applicant:日本電信電話株式会社
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特開平3-076110
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特開昭60-119710
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特開平4-041666
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特開平3-018013
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特開平3-245523
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特開平3-016992
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電子による反応を利用した微細処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-013178
Applicant:ソニー株式会社
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