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J-GLOBAL ID：200903045192634910
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993230628
Publication number (International publication number)：1995086236
Application date： Sep. 17, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：
【要約】【目的】半導体製造装置の酸化膜エッチングにおいて、シリコン及びシリコン窒化膜、窒化チタンに対して高い選択比を得ること。【構成】本発明は、フロロカーボンガスを用いたドライエッチングにより酸化膜にホールを形成する工程において、プラズマ中で生成されるデポジション膜の組成の内、炭素の含有量が50%以上望ましくは80%以上で且つ、フッ素の含有量が50以下望ましくは20%以下である、エッチングガスもしくはガスプラズマを用いることにより、高選択酸化膜エッチングを実現する。
Claim (excerpt)：
フロロカーボンガスを用いたドライエッチングにより酸化膜にホールを形成する工程に於いて、プラズマ中で生成されるデポジション膜の組成が、炭素の含有量が50%以上望ましくは80%以上で且つ、フッ素の含有量が50以下望ましくは20%以下であることを特徴とするとする半導体装置の製造方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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