有機半導体素子、その製造方法および有機半導体装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：渡辺徳廣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004264499
Publication number (International publication number)：2005136383
Application date： Sep. 10, 2004
Publication date： May. 26, 2005
Summary：

【課題】高い移動度を有する有機半導体素子を提供する。【解決手段】ゲート絶縁膜とは別に、高分子層が有機半導体に接して設けられており、該高分子層がメタクリル酸メチルとジビニルベンゼンの共重合体、または一般式(1)等の特定の重合体である有機半導体素子。(R11は水素原子またはアルキル基を表し、R12は置換基を有してもよいナフチル基、置換基を有してもよいカルバゾイル基、または置換基を有してもよいビフェニル基を表す。nは重合度を表す。)【選択図】なし

Claim (excerpt)：

少なくとも、基板、有機半導体、ゲート絶縁膜、導電体から成る有機半導体素子において、ゲート絶縁膜とは別に、高分子層が有機半導体に接して設けられており、該高分子層がメタクリル酸メチルとジビニルベンゼンの共重合体を含有することを特徴とする有機半導体素子。

IPC (6)：

H01L29/786 , C08F12/00 , C08F32/08 , C08F220/18 , H01L21/336 , H01L51/00

FI (9)：

H01L29/78 617T , C08F12/00 , C08F32/08 , C08F220/18 , H01L29/78 618B , H01L29/78 617U , H01L29/78 617V , H01L29/78 619A , H01L29/28

F-Term (61)：

4J100AB00P , 4J100AB16Q , 4J100AL03P , 4J100AQ26P , 4J100AR09P , 4J100CA01 , 4J100CA04 , 4J100CA23 , 4J100JA46 , 5F110AA01 , 5F110AA16 , 5F110AA28 , 5F110BB01 , 5F110BB08 , 5F110BB20 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110HM12 , 5F110NN04 , 5F110NN27 , 5F110NN36 , 5F110QQ06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

導電性有機材料配向膜の製造方法及び導電性有機材料配向膜を用いた有機電子素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-241078 Applicant：松下電器産業株式会社
有機半導体装置及び液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-264964 Applicant：株式会社日立製作所
米国特許第6,433,359号

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