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J-GLOBAL ID:200903045269342411
光電変換装置及びその製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
山下 穣平
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992355327
Publication number (International publication number):1994188400
Application date: Dec. 21, 1992
Publication date: Jul. 08, 1994
Summary:
【要約】【目的】 製造工程を簡略化し、製造工程の歩留まりを向上し、材料の効率的利用とあいまって低コストで、安価な光電変換装置を提供する。【構成】 少なくともMIS型フォトダイオード10とスイッチ素子11とを同一基板上に具備する光電変換装置であって、MIS型フォトダイオード10とスイッチ素子11との半導体層を同一工程で堆積される同一半導体材料で構成した。
Claim (excerpt):
少なくともMIS型フォトダイオードとスイッチ素子とを同一基板上に具備する光電変換装置であって、前記MIS型フォトダイオードと前記スイッチ素子との半導体層を同一工程で堆積される同一半導体材料で構成したことを特徴とする光電変換装置。
IPC (4):
H01L 27/146
, H01L 31/108
, H01L 31/10
, H04N 1/028
FI (3):
H01L 27/14 C
, H01L 31/10 C
, H01L 31/10 E
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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特開昭62-209862
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特開平1-119060
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特開昭64-050558
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特開昭62-002671
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半導体装置とその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-221874
Applicant:株式会社日立製作所
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半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-244167
Applicant:富士ゼロツクス株式会社
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