磁気ヘッドおよびそれを用いた磁気記憶装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：机昌彦 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002308548
Publication number (International publication number)：2003208708
Application date： Dec. 07, 1999
Publication date： Jul. 25, 2003
Summary：

【要約】【課題】 MRヘッドを用いることが出来なかったサーマルアスペリティの頻発する磁気記憶装置にMRヘッドを適用することを可能とすることによって、大容量な磁気記憶装置を実現する。【解決手段】磁気記録媒体と当該磁気記録媒体と所定の間隔を介して配置設定される磁気記録再生を行うヘッドとから構成された磁気記憶装置に於て、当該磁気記録再生ヘッドを構成する再生ヘッド部は、第1の強磁性層11と第2の強磁性層14と当該第1と第2の強磁性層11、14間に狭持されたトンネルバリア層13とから構成された強磁性トンネル接合磁気抵抗効果膜100で構成されており、且つ当該強磁性トンネル接合磁気抵抗効果膜100は、温度変化にもかかわらず、当該膜の抵抗値が5×10-5Ωcm2 以下の略一定値を呈する様に構成された気記録再生ヘッド200。

Claim (excerpt)：

第1の強磁性層と第2の強磁性層と当該第1と第2の強磁性層間に狭持されたトンネルバリア層とから構成された強磁性トンネル接合磁気抵抗効果膜を用いた磁気ヘッドであって、当該強磁性トンネル接合磁気抵抗効果膜は、抵抗値が5×10-5Ωcm2以下である事を特徴とする磁気ヘッド。

IPC (5)：

G11B 5/39 , G11B 5/60 , H01F 10/32 , H01L 43/08 , H01L 43/10

FI (5)：

G11B 5/39 , G11B 5/60 Z , H01F 10/32 , H01L 43/08 Z , H01L 43/10

F-Term (10)：

5D034BA03 , 5D034BB08 , 5D034BB12 , 5D034CA03 , 5D042NA02 , 5D042PA05 , 5D042PA09 , 5D042QA05 , 5E049BA12 , 5E049DB06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

強磁性トンネル素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-259938 Applicant：富士通株式会社

Return to Previous Page