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J-GLOBAL ID：200903045370613698

基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法

Inventor： 高石 賢治
Applicant, Patent owner： 株式会社日立国際電気
Agent (3)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005000974
Publication number (International publication number)：2006190787
Application date： Jan. 05, 2005
Publication date： Jul. 20, 2006
Summary：

【課題】 酸素を含む高品質な薄膜の形成が可能で、水分発生器やオゾン発生器を必要とせず、低コスト化を実現する。【解決手段】 処理室201と、処理室内を加熱するヒータ207と、第1の原料ガスを供給する第1のガス供給配管232aと、O含有ガスとH含有ガスとを含むガスを供給する第2のガス供給配管232bと、処理室201内の雰囲気を排気する排気配管231と、処理室内のウェハ200に対してSi系ガスと酸化性ガスとを互いに混合することなく交互に供給するよう制御する制御手段121とを備える。制御手段121により、処理室201内のウェハ200に対してSi系ガスを供給して第1の原料をウェハ上に吸着させ、酸化性ガスを供給してOラジカルとOHラジカルを発生させ、これらのラジカルにより、第1の原料が吸着したウェハ表面で酸化反応を行わせ、ウェハ200上に酸化膜を形成するようにする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板を収容する処理室と、 前記基板および処理室内を加熱する加熱手段と、 前記第1の原料ガスを前記処理室へ供給する第1のガス供給手段と、 前記第1の原料ガスとは異なるO含有ガスとH含有ガスとを含む第2の原料ガスを前記処理室へ供給する第2のガス供給手段と、 前記処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、 処理室内の基板に対して第1の原料ガスと前記第2の原料ガスとを互いに混合することなく交互に供給するよう制御する制御手段とを備えて、 前記処理室内の基板に対して第1の原料ガスを供給して第1の原料を基板上に吸着させ、第2の原料ガスを供給してOラジカルとOHラジカルを発生させ、前記ラジカルにより、前記第1の原料が吸着した基板表面で表面反応を行わせ、基板上に酸化膜を形成するようにしたことを特徴とする基板処理装置。

IPC (2)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/455

FI (2)：

H01L21/31 B ,  C23C16/455

F-Term (15)：

4K030AA14 ,  4K030BA42 ,  4K030BA43 ,  4K030BA44 ,  4K030EA03 ,  4K030KA24 ,  5F045AA03 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AC11 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EE19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-181282   Applicant：東京エレクトロン株式会社