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J-GLOBAL ID：200903060625972971

成膜方法、成膜装置及び記憶媒体

Inventor：
長谷部 一秀

About 長谷部 一秀


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 浅井 章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005181282
Publication number (International publication number)：2006054432
Application date： Jun. 21, 2005
Publication date： Feb. 23, 2006
Summary：
【課題】 金属表面の酸化を抑制しつつシリコン酸化膜を堆積させることが可能な成膜方法を提供する。【解決手段】 真空引き可能になされた処理容器22内で金属の表面が露出している被処理体Wにシリコン酸化膜を形成する成膜方法において、前記処理容器22内へSi含有ガスを供給するSi含有ガス供給工程と、前記処理容器22内へ酸化性ガスと還元性ガスとを同時に供給する酸化還元ガス供給工程とを、間欠的に交互に繰り返し行うようにする。これにより、金属表面の酸化を抑制しつつシリコン酸化膜を堆積させることが可能となる。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
真空引き可能になされた処理容器内で金属の表面が露出している被処理体にシリコン酸化膜を形成する成膜方法において、 前記処理容器内へSi含有ガスを供給するSi含有ガス供給工程と、 前記処理容器内へ酸化性ガスと還元性ガスとを同時に供給する酸化還元ガス供給工程とを、間欠的に交互に繰り返し行うようにしたことを特徴とする成膜方法。
IPC (6)：
H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522
FI (5)：
H01L21/316 X ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L21/31 B ,  H01L21/90 K
F-Term (48)：
4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030BA44 ,  4K030EA03 ,  4K030EA11 ,  5F033HH04 ,  5F033HH19 ,  5F033HH34 ,  5F033LL04 ,  5F033MM08 ,  5F033RR04 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS03 ,  5F033SS13 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033VV16 ,  5F033WW05 ,  5F033XX00 ,  5F045AA04 ,  5F045AA06 ,  5F045AA15 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EK06 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF04 ,  5F058BF06 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BJ02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 半導体製造装置およびガス排出方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-051468   Applicant：株式会社日立製作所, 日立北海セミコンダクタ株式会社
  • 縦型熱処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-184310   Applicant：東京エレクトロン株式会社
Cited by examiner (4)
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