半導体基板の製造方法及び固体撮像装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松隈秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998001623
Publication number (International publication number)：1999204771
Application date： Jan. 07, 1998
Publication date： Jul. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】エピタキシャル成長後の輝点の発生を低減した半導体基板の製造方法、及び白傷欠陥を低減した固体撮像装置の製造方法を提供する。【解決手段】固体撮像装置用のエピタキシャル半導体基板3の作製において、エピタキシャル層2を、1120°C以下の成長温度で成長するようになす。また、好ましくは水素アニールの前に、プレアニールを900°C以下の温度で行うようにする。

Claim (excerpt)：

固体撮像装置用のエピタキシャル半導体基板の作製において、エピタキシャル層の成長を、1120°C以下の成長温度で行うことを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (4)：

H01L 27/148 , H01L 21/205 , H01L 21/322 , H01L 27/146

FI (4)：

H01L 27/14 B , H01L 21/205 , H01L 21/322 J , H01L 27/14 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

エピタキシャルウェハ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-355507 Applicant：ソニー株式会社

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