光検出装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山下穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996294949
Publication number (International publication number)：1998144900
Application date： Nov. 07, 1996
Publication date： May. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】光電変換素子とTFTとを同一基板上に有する光検出装置において、同一プロセスで、アライメントずれがなく、特性が安定する製造方法を得る。【解決手段】絶縁基板上に、第1の電極層、絶縁層、光電変換半導体層、該半導体層へのキャリア注入阻止層、第2の電極層とから構成されるMIS型光電変換素子と、第1の電極層、絶縁層、半導体層、該半導体層へのオーミックコンタクト層、第2の電極層とから構成されるTFTと、を有し、前記TFTのソース・ドレイン電極27の形成と、チャネル部の少なくともオーミックコンタクト層26の除去とを、同一のマスクで行なう工程(d)と、他のマスクにより上記光電変換素子の上部電極28を形成する工程(e)と、を有することを特徴とする光検出装置の製造方法。

Claim (excerpt)：

上部電極を有する光電変換素子と、ソース・ドレイン電極を有する薄膜トランジスタを、同一基板上に一体的に形成する光検出装置の製造方法において、前記薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極の形成と、チャネル部の少なくともオーミックコンタクト層の除去とを、同一のマスクで行なう工程と、他のマスクにより、上記光電変換素子の上部電極を形成する工程と、を有することを特徴とする光検出装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 27/146 , H01L 29/786 , H04N 5/335

FI (3)：

H01L 27/14 C , H04N 5/335 W , H01L 29/78 613 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

光電変換装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-355327 Applicant：キヤノン株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-244167 Applicant：富士ゼロツクス株式会社
特開昭59-211262

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