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J-GLOBAL ID：200903045457113950

プラズマ化学気相成長装置及び半導体装置の製造方法

Inventor： 斉藤 政良 ,  工藤 豊 ,  大山 勝美 ,  蜂谷 昌幸 ,  本間 喜夫
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立電子エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995326816
Publication number (International publication number)：1997167766
Application date： Dec. 15, 1995
Publication date： Jun. 24, 1997
Summary：

【要約】【課題】0.4μm より微細なギャップを持つ配線用平坦化絶縁膜を形成する。【解決手段】平行平板型電極を有するプラズマCVD装置に30MHz以上の高周波電源を装備し、1Torr以下の低圧領域で基板バイアスを印加しながら高被覆性膜を形成する。

Claim (excerpt)：

平行平板型プラズマCVD装置において、上部電極に28MHz以上の高周波の電力を印加することを特徴とするプラズマ化学気相成長装置。

IPC (4)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31

FI (5)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/95

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-346829
  
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-164831   Applicant：株式会社東芝