半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998229990
Publication number (International publication number)：2000058847
Application date： Jul. 31, 1998
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：

【要約】【課題】本発明は、活性層、特にチャネル形成領域を構成する領域とゲート絶縁膜との界面を良好なものとすることにより、TFTの特性を向上させるとともに均一な特性を有する半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法を提供するものである。【解決手段】上記目的を解決するため、本発明は、絶縁表面上に初期半導体膜と第1のゲート絶縁膜を連続的に形成し、次いで第1のゲート絶縁膜を介して赤外光または紫外光(レーザー光)の照射による初期半導体膜の結晶化を行った後、パターニングを行い所望の形状を有する活性層及び第1のゲート絶縁膜を得た後、第2のゲート絶縁膜を形成する。

Claim (excerpt)：

絶縁性を有する表面上の結晶性半導体膜からなる活性層と、前記活性層上の第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上の第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上のゲート配線とを有することを特徴とする半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5)：

H01L 29/78 616 A , H01L 29/78 617 U , H01L 29/78 617 L , H01L 29/78 617 M , H01L 29/78 618 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

薄膜トランジスタとその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-217064 Applicant：株式会社日立製作所
半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-207880 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-008848 Applicant：株式会社東芝, 東芝電子エンジニアリング株式会社

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