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J-GLOBAL ID：200903045550449330

磁気センサ及び磁気ヘッド

Inventor： 瀬山 喜彦 ,  長坂 恵一 ,  清水 豊 ,  田中 厚志
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 眞鍋 潔 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001243187
Publication number (International publication number)：2003060258
Application date： Aug. 10, 2001
Publication date： Feb. 28, 2003
Summary：

【要約】【課題】 磁気センサ及び磁気ヘッドに関し、単純な構成のCPP方式磁気センサの磁区制御膜となるハード膜の比抵抗を高めて無効電流を減少させる。【解決手段】 磁区制御を行う導電性の硬質磁性材料からなるハード膜4と磁気センサ膜3とを少なくとも一部において直接接するように配置し、磁気センサ膜3面に少なくとも主たる成分が垂直成分である方向に電流を流す構造の磁気センサのハード膜4の比抵抗を変化させ, 前記磁気センサ膜3とハード膜4に流れる電流を制御する。

Claim (excerpt)：

磁区制御を行う導電性の硬質磁性材料からなるハード膜と磁気センサ膜とを少なくとも一部において直接接するように配置し、磁気センサ膜面に少なくとも主たる成分が垂直成分である方向に電流を流す構造の磁気センサにおいて、前記ハード膜の比抵抗を変化させ, 前記磁気センサ膜とハード膜に流れる電流を制御することを特徴とする磁気センサ。

IPC (5)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30

FI (5)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  G01R 33/06 R

F-Term (8)：

2G017AA01 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5E049AA04 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049DB12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 磁気抵抗効果型デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-029236   Applicant：富士通株式会社
• 磁気抵抗効果素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-276962   Applicant：ソニー株式会社
• 巨大磁気抵抗素子および巨大磁気抵抗ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-161886   Applicant：ソニー株式会社
• 巨大磁気抵抗効果素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-165763   Applicant：ソニー株式会社