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J-GLOBAL ID:200903045575732592
半導体構造及びその製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
板谷 康夫
, 田口 勝美
, 水田 愼一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007015980
Publication number (International publication number):2008181042
Application date: Jan. 26, 2007
Publication date: Aug. 07, 2008
Summary:
【課題】可動部中に絶縁分離構造を設けた半導体構造を容易に製造可能にする。【解決手段】光走査ミラー(半導体構造)1は、第1シリコン層100a、酸化膜120、第2シリコン層100bから成るSOI基板100を加工することにより形成されている。第1シリコン層100aには、固定フレーム4に第1ヒンジ5を介して支持された可動部50が形成されている。可動部50は、トレンチ(絶縁分離構造)101aが形成されることにより複数の部位に分かれている。トレンチ101aの下方に、酸化膜120及び第2シリコン層100bから成る支持体9が形成されている。支持体9にはトレンチ101aにより分割された可動フレーム3の複数の部位が接合されており、可動部50は支持体9と一体に揺動可能である。これにより、簡易なエッチングによる製造工程により支持体9を形成し、可動部50の機械的強度を確保可能である。【選択図】図1
Claim (excerpt):
固定フレームと、前記固定フレームに支持ヒンジを介して軸支され前記固定フレームに対し回転可能な可動部と、を備え、前記可動部には、その可動部を互いに絶縁された複数の部位に分割する絶縁分離部が設けられている半導体構造において、
前記絶縁分離部の下方には、前記絶縁分離部により分割された前記可動部の複数の部位が共に接合された支持体が形成されており、前記可動部が前記支持体と一体に回動可能に構成されていることを特徴とする半導体構造。
IPC (5):
G02B 26/10
, B81C 1/00
, B81B 3/00
, G02B 26/08
, H04N 1/028
FI (6):
G02B26/10 104Z
, B81C1/00
, B81B3/00
, G02B26/08 E
, G02B26/10 C
, H04N1/028 Z
F-Term (16):
2H041AA12
, 2H041AB14
, 2H041AC06
, 2H041AZ02
, 2H041AZ08
, 2H045AB13
, 2H045AB16
, 2H045AB73
, 5C051AA01
, 5C051BA01
, 5C051DB01
, 5C051DB24
, 5C051DB30
, 5C051DC04
, 5C051DC05
, 5C051DC07
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
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静電アクチュエータ及び光走査装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-259998
Applicant:株式会社リコー
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