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J-GLOBAL ID：200903045599191070

III-V族化合物半導体の気相エピタキシャル成長方法

Inventor： 冨田 一義 ,  伊藤 健治 ,  加地 徹
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997091484
Publication number (International publication number)：1998270750
Application date： Mar. 25, 1997
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】安全性が高く、且つ、成長薄膜に炭素が取り込まれることがなく、従って、n型不純物の添加効果の高いn型不純物添加ガスを提供すること【解決手段】 III-V族化合物半導体を気相成長法により成長させる方法において、n型の不純物原料としてモノメチルシラン(CH3SiH3)を用いる。又、基板の上流側から水素原子、水素原子ラジカルを供給することで、炭素原子数の多いテトラメチルシラン((CH3)4Si)、テトラエチルシラン((C2H5)4Si) 、テトラノルマルプロピルシラン((n-C3H7)4Si) 、テトラノルマルブチルシラン((n-C4H9)4Si)などのSiの有機金属をn型不純物添加ガスとして用いることができる。

Claim (excerpt)：

III-V族化合物半導体を気相成長法により成長させる方法において、n型の不純物原料としてモノメチルIV族元素3水素化物(CH3AH3)(但し、A はIV族元素) を用いることを特徴とする III-V族化合物半導体の気相エピタキシャル成長方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2)：

H01L 33/00 A ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平1-214083
  
• 発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-236845   Applicant：住友化学工業株式会社