発光素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：久保山隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996236845
Publication number (International publication number)：1997321338
Application date： Sep. 06, 1996
Publication date： Dec. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】発光層の界面におけるミスフィット転位の発生が抑えられ、かつ、より長い波長の発光が容易に得られる発光素子を提供する。【解決手段】一般式In<SB>a </SB>Ga<SB>b </SB>Al<SB>c </SB>N(式中、0≦a<1、0<b<1、0.05≦c<1、a+b+c=1)で表される3-5族化合物半導体よりなる下地層と、該下地層よりバンドギャップの小さい一般式In<SB>x </SB>Ga <SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(式中、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1、x+y+z=1)で表される3-5族化合物半導体層よりなる発光層と、該発光層よりバンドギャップが大きく一般式In<SB>a'</SB>Ga<SB>b'</SB>Al<SB>c'</SB>N(式中、0≦a’<1、0<b’≦1、0≦c’<1、a’+b’+c’=1)で表される3-5族化合物半導体よりなる保護層とがこの順に積層されてなり、該発光層の格子定数が該下地層の格子定数より大きく、かつ発光層に対して接合方向に圧縮応力が加わってなる構造を有する発光素子。

Claim (excerpt)：

一般式In<SB>a </SB>Ga<SB>b </SB>Al<SB>c </SB>N(式中、0≦a<1、0<b<1、0.05≦c<1、a+b+c=1)で表される3-5族化合物半導体よりなる下地層と、該下地層よりバンドギャップの小さい一般式In<SB>x </SB>Ga <SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(式中、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1、x+y+z=1)で表される3-5族化合物半導体層よりなる発光層と、該発光層よりバンドギャップが大きく一般式In<SB>a'</SB>Ga<SB>b'</SB>Al<SB>c'</SB>N(式中、0≦a’<1、0<b’≦1、0≦c’<1、a’+b’+c’=1)で表される3-5族化合物半導体よりなる保護層とがこの順に積層されてなり、該発光層の格子定数が該下地層の格子定数より大きく、かつ発光層に対して接合方向に圧縮応力が加わってなる構造を有することを特徴とする発光素子。

IPC (4)：

H01L 33/00 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01S 3/18

FI (4)：

H01L 33/00 C , H01L 21/203 M , H01L 21/205 , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-038157 Applicant：株式会社東芝
化合物半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-098633 Applicant：シャープ株式会社

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