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J-GLOBAL ID:200903045629211372

グラファイト状物質の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001114564
Publication number (International publication number):2002316808
Application date: Apr. 12, 2001
Publication date: Oct. 31, 2002
Summary:
【要約】【課題】耐熱特性の良好な、しかも電子容易放出性を保持した電子源となり得るナノサイズのグラファイト状物質をより低い温度で、安価に製造できる方法を提供する。【解決手段】炭素含有量が90%以上の線状高分子好ましくはポリアセチレン系重合体を熱処理しグラファイトに転換しグラファイト状物質を得る。
Claim (excerpt):
炭素含有量が90%以上の線状高分子を熱処理しグラファイトに転換することを特徴とするグラファイト状物質の製造方法。
F-Term (4):
4G046EA03 ,  4G046EB04 ,  4G046EC02 ,  4G046EC06
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
Article cited by the Patent:
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