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J-GLOBAL ID：200903045664278463

多層構造半導体のエッチング方法

Inventor： 土橋 万知夫 ,  和泉 恭子 ,  和田 守夫
Applicant, Patent owner： 横河電機株式会社
Agent (1)： 渡辺 正康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995213317
Publication number (International publication number)：1997064401
Application date： Aug. 22, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】拡散律速のエッチング液を使った場合の深さ方向のエッチング不均一を解消する。【解決手段】多層構造半導体のエッチング方法であって、拡散律速のエッチング液を使用する場合のマスクパターンとして、エッチング部分に対してマスク部分の面積を大きくしエッチング液がエッチング部分に均等に供給されエッチングレートが均一になるように形成されたマスクを用いてエッチングを行う。

Claim (excerpt)：

多層構造半導体のエッチング方法であって、拡散律速のエッチング液を使用する場合のマスクパターンとして、エッチング部分に対してマスク部分の面積を大きくしエッチング液がエッチング部分に実質上均等に供給されエッチングレートが実質上均一になるように形成されたマスクを用いてエッチングを行うことを特徴とする多層構造半導体のエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 31/10 ,  H01L 21/306

FI (2)：

H01L 31/10 A ,  H01L 21/306 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平2-105474
  
• 特開昭58-209172
  
• 半導体受光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-273926   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平2-105474
  
• 特開昭58-209172