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J-GLOBAL ID：200903045703364860

プラズマ処理装置

Inventor：
石 井 信 雄

About 石 井 信 雄


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000048001
Publication number (International publication number)：2001237100
Application date： Feb. 24, 2000
Publication date： Aug. 31, 2001
Summary：
【要約】【課題】 被処理体の半径方向に対する電界強度の変化幅を小さくして、被処理体に対してより均一なプラズマ処理を行えるようにする。【解決手段】 プラズマ処理装置は、被処理体Wを収納する処理容器1を備えている。処理容器1内の上部に、被処理体Wと対向した対向面20を有する略円板状の電極板2が設けられている。高周波供給手段3は、ほぼ正弦波の山と谷の頂点側部分が略水平にならされた形状の波形を有する高周波を供給する。高周波供給手段3から供給された高周波は、電極板2の対向面20において直径方向で互いに逆向きに伝播して定在波を形成する。この定在波の波形も、供給される高周波と同様、ほぼ正弦波の山と谷の頂点側部分が略水平にならされた形状となる。従って、ほぼ正弦波の波形を有した高周波をそのまま用いる場合に比べて、被処理体の半径方向rに対する電界強度Eの変化幅を小さくすることができる。
Claim (excerpt)：
被処理体を収納する処理容器と、この処理容器内に設けられた電極と、この電極に高周波を供給するための高周波供給手段とを備え、前記処理容器内において高周波によるプラズマを生成するように構成されると共に、前記高周波供給手段は、ほぼ正弦波の山と谷の頂点側部分が略水平にならされた形状の波形を有する高周波を供給するように構成されている、ことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4)：
H05H 1/46 ,  C23C 16/509 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065
FI (5)：
H05H 1/46 M ,  H05H 1/46 R ,  C23C 16/509 ,  C23F 4/00 C ,  H01L 21/302 C
F-Term (19)：
4K030CA04 ,  4K030CA06 ,  4K030FA03 ,  4K030JA16 ,  4K030KA30 ,  4K030KA49 ,  4K030LA15 ,  4K030LA18 ,  4K057DA11 ,  4K057DA16 ,  4K057DD03 ,  4K057DD08 ,  4K057DM05 ,  4K057DM20 ,  4K057DN01 ,  5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BB13 ,  5F004CA03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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