絶縁ゲート型電界効果トランジスタ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：碓氷裕彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994039874
Publication number (International publication number)：1995249765
Application date： Mar. 10, 1994
Publication date： Sep. 26, 1995
Summary：

【要約】【目的】絶縁ゲート型電界効果トランジスタにおいて、サージ電圧の印加によるガードリング領域の電界値が上昇したときの、素子の破壊耐量を向上させる。【構成】 pウエル領域3,9とゲート電極8の繰り返しパターンからなるセル領域とn- 層2の終端の間に、セル領域3,9を取り巻く帯状のパターンを有するガードリング部5を形成した絶縁ゲート型電界効果トランジスタにおいて、セル領域とガードリング部5の間のn- 層2表面にp層4を形成し、セル領域におけるソース電極11を外周に延在させてp層4に接触させるようにし、サージ電圧が印加された時にガードリング部5近傍に発生する電流集中をp層4に接触したソース電極11にバイパスするようにした。

Claim (excerpt)：

半導体基板の一面側に、第1導電型のウエル領域を複数形成してセル領域をなし、そのウエル領域の個々において、ウエル領域内に第2導電型のソース領域を形成し、該ソース領域と隣接する前記ウエル領域内の半導体基板表面部をチャネル領域として少なくともこのチャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記個々のウエル領域のソース領域に共通して接触するソース電極とを備え、さらに前記半導体基板の他面側にドレイン電極を有し、前記ゲート電極に印加される電圧により前記チャネル領域を介し前記ソース電極、ドレイン電極間の電流量を制御するようになした絶縁ゲート型電界効果トランジスタにおいて、前記半導体基板のセル領域の外側に、該セル領域を囲むようにガードリング領域を形成し、さらに前記セル領域と前記ガードリング領域の間に、前記ガードリング領域内に電流集中が生じた時に、その電流を前記セル領域の前記ソース電極に直接バイパスして、前記電流による前記ウエル領域と前記ソース領域間が順方向バイアスされるのを抑制する電流バイパス部を形成したことを特徴とする絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/78 , H01L 27/08 331

FI (5)：

H01L 29/78 321 W , H01L 29/78 301 W , H01L 29/78 301 K , H01L 29/78 301 R , H01L 29/78 321 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平3-155167
特開昭64-059959
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-256671 Applicant：日本電気株式会社

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