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J-GLOBAL ID：200903045742901326

半導体ウェーハ粒子除去装置

Inventor： マーク エイ.マクガイヤー
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994267738
Publication number (International publication number)：1995254582
Application date： Oct. 31, 1994
Publication date： Oct. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体のウェーハの表面に存在する汚染粒子をそのフラット・アライメント中に真空吸引により除去させるフラット・アライメント装置を提供する。【構成】 カセット(11)に装填された複数のウェーハ(12)のエッジに回転接触する中空のローラ(13)に、その表面から中心の空洞へ伸延する複数の開口(14)を配列して設け、ウェーハ(12)をそのフラット・エッジに位置合わせすべく、回転させるフラット・アライメントの処理の際に、開口(14)を介してローラ(13)が真空吸引を行い、ウェーハ(12)の表面に存在する汚染粒子を開口14を介してローラ(13)の空洞内に引き込んで除去させる。

Claim (excerpt)：

半導体のウェーハ上のフラット・エッジに位置合わせをするアライメント装置の半導体ウェーハ粒子除去装置において、ウェーハ・カセットを受け止めるフレームと、前記フレームに搭載され、かつ前記ウェーハ・カセット内の前記半導体のウェーハと回転接触して配置される中空シリンダ状のローラと、前記ローラの外面から前記ローラの内部へ伸延する前記ローラにおける複数の開口と、前記ローラに取り付けられ、前記複数の開口を介して前記ローラの内部を真空吸引させる真空線とを備えていることを特徴とする半導体ウェーハ粒子除去装置。

IPC (2)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/68

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体ウェーハ整列装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-052002   Applicant：富士通株式会社
• 特表昭60-501436