特にヘテロエピタキシャル堆積用のコンプライアント基板

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：志賀正武 (外7名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000529746
Publication number (International publication number)：2002502121
Application date： Jan. 29, 1999
Publication date： Jan. 22, 2002
Summary：

【要約】【課題】他の材料のヘテロエピタキシャル成長を始めるため使用すべき材料の薄膜を供給するコンプライアント基板を提供するものである。【解決手段】キャリヤ(1,14,21,31)と該キャリヤの表面上に形成した少なくとも一つの薄層(4,13,23,34)とを備え、一体の形で応力供給構造を受けることが意図されているコンプライアント基板(5,20,30)であって、そのキャリヤとその薄層とが結合手段(3;11,15,16;24,25)によって互いに結合され、前記構造によってもたらされた応力の全てあるいはその一部が薄層及び/又は結合手段に吸収されているコンプライアント基板において、前記結合手段が結合ゾーン、すなわち、微小キャビティの層及び/又は結合エネルギーが前記応力の吸収を可能にするように制御される結合界面、の中から選択された少なくとも一つの結合ゾーンを備えていることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

キャリヤ(1,14,21,31)と該キャリヤの表面上に形成した少なくとも一つの薄層(4,13,23,34)とを備え、一体の形で応力供給構造を受けることが意図されているコンプライアント基板(5,20,30)であって、そのキャリヤとその薄層とが結合手段(3;11,15,16;24,25)によって互いに結合され、前記構造によってもたらされた応力の全てあるいはその一部が薄層及び/又は結合手段に吸収されているコンプライアント基板において、前記結合手段が結合ゾーン、すなわち、微小キャビティの層及び/又は結合エネルギーが前記応力の吸収を可能にするように制御される結合界面、の中から選択された少なくとも一つの結合ゾーンを備えていることを特徴とするコンプライアント基板。

IPC (3)：

H01L 21/20 , H01L 21/265 , H01L 27/12

FI (3)：

H01L 21/20 , H01L 27/12 B , H01L 21/265 Q

F-Term (4)：

5F052KA05 , 5F052KA06 , 5F052KA10 , 5F052KB05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

特開平3-142822
複合半導体基板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-283706 Applicant：宇部興産株式会社
薄い半導体材料フィルムの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-246594 Applicant：コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク

Cited by examiner (4)

特開平3-142822
複合半導体基板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-283706 Applicant：宇部興産株式会社
薄い半導体材料フィルムの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-246594 Applicant：コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク

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Article cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

Cited by examiner (2)

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