メッキ処理装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：須山佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000174439
Publication number (International publication number)：2001316887
Application date： May. 08, 2000
Publication date： Nov. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】ウエハの面内で厚さが均一なメッキ層を形成することのできるメッキ処理装置を提供する。【解決手段】フェイスダウン方式のメッキ処理ユニットM1のメッキバス42の内42b底部に配設するアノード44を、直径の異なる3個の円環状アノード部材44a〜44cに分割し、これらのアノード部材44a〜44cを同心円状、かつ、ウエハWと同軸的に配設する。各アノード部材44a〜44cには独立して電源と接続し、それぞれ独立して印加電圧を制御する。ウエハW下面側の被処理面に起きるカソード電圧の電圧降下を打ち消すように、中心のアノード部材44aには高いアノード電圧を印加する一方、外側のアノード部材44b,44cにいくにつれて印加するアノード電圧を低下させ、このアノード電圧の勾配と前記カソード電圧の電圧降下とを相殺することによりウエハW下面での電流密度を均一化して、メッキ層の厚さをウエハW面内で均一化する。

Claim (excerpt)：

被処理基板を浸漬するメッキ処理液を貯留する処理槽と、前記被処理基板を、水平面内で回転可能に保持し、前記メッキ処理液に対して接離させる基板保持手段と前記基板保持手段に配設され前記被処理基板に接触して電圧を印加するカソード電極と、前記処理槽内に配設され、2以上のアノード部材に分割されたアノード電極と、を具備するメッキ処理装置。

IPC (8)：

C25D 17/12 , C25D 5/08 , C25D 7/12 , C25D 17/00 , C25D 17/06 , C25D 17/10 , C25D 21/10 302 , H01L 21/288

FI (10)：

C25D 17/12 Z , C25D 5/08 , C25D 7/12 , C25D 17/00 J , C25D 17/00 H , C25D 17/00 C , C25D 17/06 C , C25D 17/10 B , C25D 21/10 302 , H01L 21/288 E

F-Term (17)：

4K024AA09 , 4K024AB01 , 4K024BA11 , 4K024BB12 , 4K024CA05 , 4K024CA15 , 4K024CB02 , 4K024CB06 , 4K024CB08 , 4K024CB13 , 4K024CB16 , 4K024CB21 , 4K024DB10 , 4K024GA16 , 4M104BB04 , 4M104DD52 , 4M104HH20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

メッキ方法及びメッキ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-353891 Applicant：カシオ計算機株式会社
特開平4-311591
電解めっき装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-095557 Applicant：ソニー株式会社

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