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J-GLOBAL ID:200903098301414442
電解めっき装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
船橋 國則
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998095557
Publication number (International publication number):1999293493
Application date: Apr. 08, 1998
Publication date: Oct. 26, 1999
Summary:
【要約】【課題】 ウエハのエッジ部分にカソード電極を接触させるために、カソード電極付近に電流が集中し、ウエハのエッジ部分では他の部分と比較して厚く銅膜が成膜され、膜厚の均一性が悪化する。【解決手段】 電解めっき法により被成膜面33にめっき層を形成する電解めっき装置1において、被成膜面33に対向するアノード電極面14が、被成膜面33における電流密度をほぼ均一化する曲面形状に形成されたアノード電極13を備えたものである。
Claim (excerpt):
電解めっき法により被成膜面にめっき層を形成する電解めっき装置において、前記被成膜面に対向するアノード電極面が曲面状に形成されたアノード電極を備えたことを特徴とする電解めっき装置。
IPC (3):
C25D 7/12
, C25D 21/00
, H01L 21/288
FI (3):
C25D 7/12
, C25D 21/00 J
, H01L 21/288 E
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (11)
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メッキ方法及びメッキ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-353891
Applicant:カシオ計算機株式会社
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特開平4-143299
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特開平4-143299
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ダマスク金属化構造体を備えた半導体デバイス
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-319463
Applicant:テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-113549
Applicant:富士通株式会社
-
特開平4-143299
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基板上に物質層を堆積する方法およびめっきシステム
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-150548
Applicant:モトローラ・インコーポレイテッド
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電解メッキ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-298556
Applicant:沖電気工業株式会社
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特開平4-088194
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特開昭59-150094
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特開昭56-087691
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