Pat

J-GLOBAL ID：200903045778246081

低欠陥密度の空孔優勢シリコン

Inventor： ファルステル,ロベルト ,  マークグラフ,スティーブ・エイ ,  マクエイド,シームス・エイ ,  ホルザー,ジョゼフ・シー ,  ムッティ,パオロ ,  ジョンソン,ベヤード・ケイ
Applicant, Patent owner： エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998543181
Publication number (International publication number)：2000513696
Application date： Apr. 09, 1998
Publication date： Oct. 17, 2000
Summary：

【要約】本発明は、空孔が優勢な真性点欠陥の、凝集空孔真性点欠陥を実質的に有さない軸対称領域を含んで成り、該第一軸対称領域は、中心軸を含んで成るかまたは少なくとも約15mmの幅を有するインゴットまたはウエハ形態の単結晶シリコン、およびその製造方法に関する。

Claim (excerpt)：

中心軸、中心軸にほぼ垂直な前面および後面、周囲縁、および中心軸からウエハの周囲縁に延在する半径を有する単結晶シリコンウエハであって、空孔が優勢な真性点欠陥であり、凝集空孔真性点欠陥を実質的に有さない第一軸対称領域を、ウエハが有して成り、該第一軸対称領域は、中心軸を有して成るかまたは少なくとも約15mmの幅を有するウエハ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• シリコン単結晶ウェーハおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-158458   Applicant：住友シチックス株式会社