化合物半導体構造およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中村純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995060669
Publication number (International publication number)：1996264829
Application date： Mar. 20, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】金属板上に窒化物半導体を成長させ、電極形成のためのエッチングが不要で素子構造設計の制約を軽減した化合物半導体構造とその製造方法を提供する。【構成】単結晶、多結晶または非晶質状の高融点金属材料板1上に、または該金属板上に形成されたAl,GaやInの窒化膜緩衝層9上に、プラズマで生成した活性N原子を含む六方晶の窒化物半導体2を直接成長させる。その上にn型Al・GaN半導体の閉込め層3,In・GaNの活性層4,P型Al・GaNの閉込め層5及びP型GaN層6と電極7を形成し発光ダイオードを得る。またNを含む化合物半導体は、その半導体構造上にAsかPまたは両者を含む立方晶のIII-V族化合物半導体が直接成長しているものか、あるいはS,Se,Teを単独か同時に含む立方晶のII-VI族化合物半導体が直接成長しているものでもよい。

Claim (excerpt)：

単結晶、多結晶またはアモルファス状の金属材料の上に、窒素を含む六方晶の結晶形をもつ化合物半導体が直接成長していることを特徴とする化合物半導体構造。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 29/201

FI (4)：

H01L 33/00 B , H01L 33/00 C , H01L 33/00 D , H01L 29/203

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平2-192770
特開昭60-173829
特開昭54-016193

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