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J-GLOBAL ID：200903014670668491

窒化物半導体レーザ素子およびその共振面の作製方法

Inventor： 杉本 康宜 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996032154
Publication number (International publication number)：1997232676
Application date： Feb. 20, 1996
Publication date： Sep. 05, 1997
Summary：

【要約】【目的】 凹凸が非常に少なく、鏡面に近いような共振面を有する窒化物半導体よりなるレーザ素子と、そのレーザ素子の共振面の作製方法を提供する。【構成】 窒化物半導体の【外1】【外2】【外3】【外4】【外5】【外6】の内のいずれか一種類の面方位の劈開面が、少なくとも一方の共振面とされていることにより、鏡面に近い共振面を有している。

Claim (excerpt)：

窒化物半導体の【外1】【外2】【外3】【外4】【外5】【外6】の内のいずれか一種類の面方位に沿った劈開面が、少なくとも一方の共振面とされていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• 半導体基板の製造方法および発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-065141   Applicant：三菱電線工業株式会社
• p型AlGaN系半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-163217   Applicant：三菱電線工業株式会社
• p型GaN系半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-162473   Applicant：三菱電線工業株式会社
• GaN堆積ウエーハ及び光半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-342456   Applicant：富士通株式会社
• 六方晶窒化ガリウム系半導体層の劈開方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-287875   Applicant：ヤマハ株式会社
• 光反射構造及びその製造法、並びに光デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-090907   Applicant：川西英雄
• 窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-092403   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-295433   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体レーザ素子及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-041583   Applicant：株式会社日立製作所