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J-GLOBAL ID：200903045844703359

カーボンナノチューブの製法

Inventor：
田 透

About 田 透


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002245762
Publication number (International publication number)：2003160322
Application date： Jun. 18, 1997
Publication date： Jun. 03, 2003
Summary：
【要約】【課題】 比較的低温で基体上に精製処理の必要のなく、特性や方向性が均一なカーボンナノチューブを成長させ得る方法を提供すること。【解決手段】 基体の表面に予めカーボンナノチューブ成長開始領域を形成しておき、これを前記反応容器内に配置した状態で、炭素導入用の原料を含む原料ガスを反応容器内に導入し、更に反応容器中に交流グロー放電によるプラズマを発生させることで基体上にカーボンナノチューブを形成するか、基体にその底部に成長核を配置した成長方向を規制する細孔を設けてカーボンナノチューブをこの細孔の底部の成長核から細孔内を成長させる。
Claim (excerpt)：
反応容器中に配置した基体上にカーボンナノチューブを成長させることによるカーボンナノチューブの製造方法であって、(a)基体に、開口を介して外部と連通し、底部に成長核が配置された細孔を設ける工程と、(b)前記細孔の底部にある成長核を起点として、成長方向を該細孔により規制してカーボンナノチューブを成長させる工程と、を有することを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。
IPC (2)：
C01B 31/02 101 ,  D01F 9/127
FI (2)：
C01B 31/02 101 F ,  D01F 9/127
F-Term (20)：
4G146AA11 ,  4G146AD28 ,  4G146AD29 ,  4G146BA12 ,  4G146BB23 ,  4G146BC08 ,  4G146BC10 ,  4G146BC16 ,  4G146BC23 ,  4G146BC25 ,  4L037AT01 ,  4L037AT05 ,  4L037CS03 ,  4L037FA02 ,  4L037FA20 ,  4L037PA06 ,  4L037PA12 ,  4L037PA21 ,  4L037PA28 ,  4L037UA04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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