金属窒化物単結晶薄膜育成法および装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：工業技術院電子技術総合研究所長
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994079325
Publication number (International publication number)：1995263766
Application date： Mar. 24, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】従来従来の方法では困難となされる高真空下での金属化合物薄膜合成を確実に実施し、かつ薄膜育成速度や膜構造均一性などに関する微細制御が可能な育成技術を伴う薄膜育成方法および該方法を実施するための装置を提供する。【構成】上記課題を解決するために、本発明にもとづく方法は、分子線によって基板上に金属窒化物からなる単結晶薄膜を育成する際に、ラジカルビームによる反応種の励起・活性化を行う。また、本発明にもとづく装置は、分子線によって基板上に金属窒化物からなる単結晶薄膜を育成するための手段と、ラジカルビームによる反応種の励起・活性化を行うための手段とを有する。

Claim (excerpt)：

金属窒化物からなる単結晶薄膜を基板上に育成するための方法において、分子線によって前記基板上に前記金属窒化物からなる単結晶薄膜を育成する際に、ラジカルビームによる反応種の励起・活性化を行うことを特徴とする金属窒化物単結晶薄膜育成法。

IPC (3)：

H01L 39/24 ZAA , C23C 14/06 , H01L 21/203

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体薄膜の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-231648 Applicant：旭化成工業株式会社
特開平4-346218
結晶成長方法及び結晶成長用ラジカル発生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-078469 Applicant：日本ビクター株式会社

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