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J-GLOBAL ID：200903045945821700

積層セラミックコンデンサとその製造方法

Inventor：
茶園 広一

About 茶園 広一

, 
静野 寿光

About 静野 寿光

, 
岸 弘志

About 岸 弘志


Applicant, Patent owner：
太陽誘電株式会社

About 太陽誘電株式会社


Agent (1)： 窪田 法明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000037542
Publication number (International publication number)：2001230148
Application date： Feb. 16, 2000
Publication date： Aug. 24, 2001
Summary：
【要約】【課題】 積層セラミックコンデンサの小型大容量化のために誘電体層を薄層化させ、誘電体層の積層数を増加させて行くと、1層当たりの電界強度が大きくなり、内部電極間で絶縁破壊が生じ易くなり、積層セラミックコンデンサの寿命が短くなり、積層セラミックコンデンサの電気的特性に対する信頼性が低下するという問題があった。【解決手段】 複数の誘電体層と複数の内部電極とを一体的に積層してなり、該誘電体層がチタン酸バリウム系のセラミック粒子の焼結体からなり、該セラミック粒子が固溶体からなる積層セラミックコンデンサにおいて、該セラミック粒子にHo,Sc,Y,Gd,Dy,Er,Yb,Tb,Tm及びLuから選択された1種又は2種以上の希土類元素を含ませ、該希土類元素の濃度を該セラミック粒子の中心から粒界に向かって高くなるようにした。
Claim (excerpt)：
複数の誘電体層と複数の内部電極とを一体的に積層してなり、該誘電体層はセラミック粒子の焼結体からなり、該セラミック粒子は固溶体からなり、該セラミック粒子はHo,Sc,Y,Gd,Dy,Er,Yb,Tb,Tm及びLuから選択された1種又は2種以上の希土類元素を含み、該希土類元素の濃度は該セラミック粒子の中心から粒界に向かって高くなっていることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
IPC (2)：
H01G 4/12 358 ,  H01G 4/12 364
FI (2)：
H01G 4/12 358 ,  H01G 4/12 364
F-Term (16)：
5E001AB03 ,  5E001AC04 ,  5E001AC09 ,  5E001AE00 ,  5E001AE01 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AE04 ,  5E001AF00 ,  5E001AF06 ,  5E001AH01 ,  5E001AH05 ,  5E001AH06 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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