Pat
J-GLOBAL ID:200903064387808187

誘電体磁器及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高野 則次
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997157671
Publication number (International publication number):1998330160
Application date: May. 30, 1997
Publication date: Dec. 15, 1998
Summary:
【要約】【課題】 強誘電体相部分と常誘電体相部分とが共存するコアシェル構造の誘電体磁器において、Mn、V、Cr、Co、Ni、Fe、Nb、Mo、Ta、Wによって耐還元性を充分に向上させることができなかった。【解決手段】 BaCO3 とTiO2 にMnOを添加したものを仮焼してBa(Ti、Mn)O3 を得る。この仮焼後のBa(Ti、Mn)O3 に、MnO、MgO、Dy2 O3 、及びLi2 O+SiO2 +BaOガラス成分を加えて仮焼した材料でグリーンシートを作り、このグリーンシートを使用して積層コンデンサの積層体を作る。積層体を還元性雰囲気で焼成し、しかる後、酸化処理を行う。これにより、Mnが結晶粒の強誘電体相部分(コア)と常誘電体相部分(シェル)との両方にほぼ均一に分布し、絶縁破壊電圧が高くなる。
Claim (excerpt):
ABO3 {ここでAはBa、Ba+Ca、Ba+Sr及びBa+Ca+Srから選択された1種、BはTi、Ti+Zr、Ti+R及びTi+Zr+Rから選択された1種(但しRはSc、Y、Gd、Dy、Ho、Er、Yb、Tb、Tm、Lu等の1種以上の希土類元素である。)、Oは酸素を示す。}を主成分とし、且つ強誘電体相部分とこの強誘電体相部分を囲む常誘電体相部分とを有する構造の誘電体磁器において、Mn(マンガン)、V(バナジウム)、Cr(クロム)、Co(コバルト)、Ni(ニッケル)、Fe(鉄)、Nb(ニオブ)、Mo(モリブデン)、Ta(タンタル)及びW(タングステン)から選択された1種以上の添加成分が、結晶粒の粒界から中心までの全域にほぼ均一に分布していることを特徴とする誘電体磁器。
IPC (4):
C04B 35/46 ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/12 358 ,  H01P 7/10
FI (5):
C04B 35/46 D ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/12 358 ,  H01P 7/10 ,  C04B 35/46 E
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

Return to Previous Page