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J-GLOBAL ID：200903045985233453

レジストパターン形成方法

Inventor： 細野 隆之 ,  新田 和行
Applicant, Patent owner： 東京応化工業株式会社
Agent (5)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006275005
Publication number (International publication number)：2008098231
Application date： Oct. 06, 2006
Publication date： Apr. 24, 2008
Summary：

【課題】良好な形状で、かつ高解像性のレジストパターンを形成できる新規なレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】支持体1上に、化学増幅型レジスト組成物を塗布してレジスト膜2を形成し、当該レジスト膜2に対して、フォトマスク5を介して選択的露光を複数回行うレジストパターン形成方法であって、前記選択的露光毎に用いられるフォトマスク5の遮光部の透過率の総和を0〜12%未満とすることを特徴とするレジストパターン形成方法。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

支持体上に、化学増幅型レジスト組成物を塗布してレジスト膜を形成し、当該レジスト膜に対して、フォトマスクを介して選択的露光を複数回行うレジストパターン形成方法であって、 前記選択的露光毎に用いられるフォトマスクの遮光部の透過率の総和を0〜12%未満とすることを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/039

FI (3)：

H01L21/30 514A ,  G03F1/08 G ,  G03F7/039 601

F-Term (21)：

2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CB52 ,  2H025CC17 ,  2H025CC20 ,  2H025FA04 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H095BA02 ,  2H095BC04 ,  5F046AA13 ,  5F046BA04 ,  5F046CB17

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-201310   Applicant：東京応化工業株式会社