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J-GLOBAL ID：200903046023177582

半導体装置の製造方法及び装置

Inventor： 野崎 耕司 ,  廣瀬 実 ,  奥山 和則 ,  猪俣 毅
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社 ,  株式会社富士通東北エレクトロニクス
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993268974
Publication number (International publication number)：1995122612
Application date： Oct. 27, 1993
Publication date： May. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の製造方法及び装置に関し、ある工程で発生した汚染物質が他の工程へ持ち込まれないようにすることができる半導体装置の製造方法及び装置を実現することを目的とする。【構成】 搬送手段により搬送されて来る基板に対して第1のユニット内で少なくとも第1の工程を施す第1のステップと、搬送手段とは異なる搬送手段により搬送されて来る基板に対して第2のユニット内で少なくとも第2の工程を施す第2のステップとを含むように構成する。

Claim (excerpt)：

搬送手段により搬送されて来る基板に対して第1のユニット内で少なくとも第1の工程を施す第1のステップと、該搬送手段とは異なる搬送手段により前記第1の工程を経て搬送されて来る該基板に対して第2のユニット内で少なくとも第2の工程を施す第2のステップとを含む、半導体装置の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 真空処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-174867   Applicant：富士通株式会社
• 特開平4-245661
  
• 特開平4-073948
  
• 特開平2-178945
  
• 特開昭62-207866