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J-GLOBAL ID：200903046027896834

フィン・メモリ・セルおよびその製造方法

Inventor： デイビット・エム・フリード ,  エドワード・ジェイ・ノワク ,  ベス・アン・レイニー
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
Agent (1)： 坂口 博 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003107565
Publication number (International publication number)：2003318286
Application date： Apr. 11, 2003
Publication date： Nov. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、製造のコストおよび複雑さを過度に増大させることなしに、セル密度を増大させるメモリ・セルおよびその形成方法を提供する。【解決手段】 本発明は、メモリ・セルを形成するフィン構成を提供する。具体的には、フィン電界効果トランジスタ(FET)を形成してアクセス・トランジスタを与え、フィン・キャパシタを形成してストレージ・キャパシタを与える。フィンFETとフィン・キャパシタとを用いてメモリ・セルを形成することにより、メモリ・セル密度を従来のプレーナ・キャパシタ構成よりも著しく増大させることができる。加えて、従来のディープ・トレンチ・キャパシタ構成よりも著しく少ないプロセスのコストおよび複雑さでメモリ・セルを形成することができる。

Claim (excerpt)：

a)フィン・ボディと、b)前記フィン・ボディの第一の部分の上に形成されたゲート電極と、c)前記ゲート電極と隣接する前記フィン・ボディに形成されたソースおよびドレインと、d)前記フィン・ボディの第二の部分で形成されたストレージ・キャパシタとを備えるメモリ・セル。

IPC (2)：

H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (2)：

H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/10 671 C

F-Term (7)：

5F083AD02 ,  5F083AD03 ,  5F083AD42 ,  5F083HA02 ,  5F083PR07 ,  5F083PR09 ,  5F083PR37

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-263473
  
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-110237   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-090222   Applicant：川崎製鉄株式会社