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J-GLOBAL ID:200903046028575675

半導体空間光変調器用反射多層膜

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 蔵合 正博
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003002261
Publication number (International publication number):2003195238
Application date: Mar. 29, 1996
Publication date: Jul. 09, 2003
Summary:
【要約】【課題】 光情報処理技術で用いる空間光変調器において、光の高利用効率化、高速動作、低電圧動作を行なうことのできる素子を提供する。【解決手段】 含有不純物量が少ない第1の材料と前記第1の材料とは屈折率が異なり、含有不純物量が少ない第2の材料とを適正な第1の結晶軸方向に沿って交互に積層し、第1の結晶軸方向を含めた任意の結晶軸方向から印加する電界によって電気光学効果が誘起され、第1の結晶軸方向から入射する光に対する光学屈折率が変化することを特徴とする反射多層膜としたものであり、素子の任意の方向から印加する電界によって電気光学効果が誘起され、第1の結晶軸方向から入射する光に対する光学屈折率が変化することにより、反射多層膜の干渉条件が崩れ、反射スペクトルが印加電圧によって変化し、ある特定の波長においては反射率が変化する。
Claim (excerpt):
含有不純物量が少ない第1の材料と前記第1の材料とは屈折率が異なり、含有不純物量が少ない第2の材料とを適正な第1の結晶軸方向に沿って交互に積層し、第1の結晶軸方向を含めた任意の結晶軸方向から印加する電界によって電気光学効果が誘起され、第1の結晶軸方向から入射する光に対する光学屈折率が変化することを特徴とする反射多層膜。
IPC (2):
G02F 1/017 504 ,  G02F 1/017 506
FI (2):
G02F 1/017 504 ,  G02F 1/017 506
F-Term (12):
2H079AA02 ,  2H079AA12 ,  2H079BA01 ,  2H079BA04 ,  2H079CA02 ,  2H079DA16 ,  2H079EA28 ,  2H079EB06 ,  2H079GA05 ,  2H079HA12 ,  2H079HA15 ,  2H079HA16
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
  • 特開平5-501923号公報
  • 特開平5-506518号公報
  • 光変調器
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-100453   Applicant:株式会社島津製作所
Cited by examiner (6)
  • 特開平4-229823
  • 半導体光素子および光通信システム
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平3-225645   Applicant:株式会社日立製作所
  • 特開平4-080713
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