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J-GLOBAL ID：200903046036888518

プラズマ処理装置内部品の製造方法及びプラズマ処理装置内部品

Inventor：
根津 崇明

About 根津 崇明


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 渡部 敏彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002277476
Publication number (International publication number)：2004119475
Application date： Sep. 24, 2002
Publication date： Apr. 15, 2004
Summary：
【課題】プラズマ暴露面に形成される絶縁体溶射膜の剥離を防止できるプラズマ処理装置内部品の製造方法及びプラズマ処理装置内部品を提供する。【解決手段】プラズマ処理装置10における処理室容器内部品のプラズマに暴露されるプラズマ暴露面に対して粗さ番目が60〜100のブラスト材をプラズマ暴露面に吹き付けるブラスト処理を施し、該ブラスト処理が施されたプラズマ暴露面を濃度が5〜30%のフッ酸溶液に10〜90分間に亘って浸漬して洗浄する浸漬洗浄処理を実行し、該浸漬洗浄処理が施されたプラズマ暴露面にアルミナを溶射する。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置の内部に配設されると共に、プラズマに暴露され且つ絶縁体溶射膜が形成されるプラズマ暴露面を有する石英製のプラズマ処理装置内部品の製造方法において、 前記プラズマ暴露面を砂刷りにより砂目に仕上げる砂刷り工程と、前記砂目に仕上げられたプラズマ暴露面を酸性の溶液で洗浄する洗浄工程と、絶縁体溶射膜を溶射する溶射工程とを有することを特徴とするプラズマ処理装置内部品の製造方法。
IPC (6)：
H01L21/3065 ,  B01J19/08 ,  C03C17/23 ,  C23C4/02 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46
FI (6)：
H01L21/302 101M ,  B01J19/08 H ,  C03C17/23 ,  C23C4/02 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46 A
F-Term (31)：
4G059AA04 ,  4G059AB01 ,  4G059AB03 ,  4G059AB11 ,  4G059AC16 ,  4G059EA01 ,  4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075AA51 ,  4G075BB10 ,  4G075BC06 ,  4G075CA47 ,  4G075CA57 ,  4G075DA02 ,  4G075DA18 ,  4G075EB01 ,  4G075FB06 ,  4G075FC15 ,  4K031AA08 ,  4K031AB02 ,  4K031AB07 ,  4K031BA03 ,  4K031BA04 ,  4K031CB43 ,  5F004AA13 ,  5F004BD04 ,  5F045AA03 ,  5F045BB08 ,  5F045DP02 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB11
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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