ZnO系薄膜、ZnO系薄膜を用いた熱電変換素子、及び赤外線センサ

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西澤均
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002309651
Publication number (International publication number)：2004146586
Application date： Oct. 24, 2002
Publication date： May. 20, 2004
Summary：

【課題】高い熱電材料特性を備えたZnO系薄膜、ZnO系薄膜を用いた熱電変換素子、及び赤外線センサを提供する。【解決手段】ZnO系薄膜の平均結晶粒径を200nm以上、粒径ばらつきが標準偏差で30nm以下とする。薄膜形成方法を用いて、10nm/min以下の成膜レートでZnO系薄膜を形成する。薄膜形成方法としては、スパッタリング法、真空蒸着法、CVD法、レーザアブレーション法などの方法を用いることができる。また、本願発明のZnO系薄膜を用いて、熱電変換素子又は赤外線センサの熱電対を形成する。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

平均結晶粒径が200nm以上、粒径ばらつきが標準偏差で30nm以下であることを特徴とするZnO系薄膜。

IPC (4)：

H01L35/22 , C23C14/08 , G01J1/02 , H01L35/34

FI (4)：

H01L35/22 , C23C14/08 C , G01J1/02 C , H01L35/34

F-Term (8)：

2G065AA04 , 2G065AB02 , 2G065BA11 , 2G065DA20 , 4K029BA49 , 4K029BC10 , 4K029CA06 , 4K029DC03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

透明導電性材料およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-303230 Applicant：凸版印刷株式会社
特開昭63-202003

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