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J-GLOBAL ID：200903046152286517

半導体装置の製造方法

Inventor： 最上 徹
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997123981
Publication number (International publication number)：1998313114
Application date： May. 14, 1997
Publication date： Nov. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ゲート電極からシリコン基板へのボロン突き抜けを効果的に防止し、トランジスタのしきい値電圧変動を大幅に低減する。これによりゲート絶縁膜の薄膜化を可能とし、優れた特性の半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体基板1上にシリコン窒化膜3を形成した後、該シリコン窒化膜3を酸素含有ガスの雰囲気下で熱酸化することによりシリコン酸窒化膜4を形成する。加熱処理は700°C以上1100°C以下とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成されたシリコン酸窒化膜をゲート絶縁膜として用い、該ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板上にシリコン窒化膜を形成した後、該シリコン窒化膜を酸素含有ガスの雰囲気下で熱酸化することにより前記シリコン酸窒化膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-014734   Applicant：富士通株式会社
• 特開平1-035954
  
• 特開昭59-055062
  
• 特開平4-092423