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J-GLOBAL ID：200903046153124740

半導体表面処理方法

Inventor： 永吉 浩 ,  寺嶋 一高 ,  西村 鈴香
Applicant, Patent owner： 永吉 浩
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005089764
Publication number (International publication number)：2006237546
Application date： Feb. 24, 2005
Publication date： Sep. 07, 2006
Summary：

【課題】反射防止用テクスチャー構造など、光デバイスで使用される半導体表面の微細構造を形成するためには従来法では処理のためのコストがかかり、環境負荷の大きい廃棄物が発生する問題があった。【解決手段】タングステン微粒子をマスクとして水素ラジカルを半導体表面に照射することにより表面に微細な構造を形成する。タングステン微粒子、水素ラジカルはタングステンフィラメントを用いた簡易な方法で生成可能であり、原料である水素ガスは安価でありかつ排気による環境負荷が少ない。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

水素ラジカル照射により結晶シリコン表面に微細構造を形成する方法

IPC (1)：

H01L 21/302

FI (1)：

H01L21/302 201A

F-Term (8)：

5F004AA16 ,  5F004BA19 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004DA24 ,  5F004DB01 ,  5F004EA03 ,  5F004EB08