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J-GLOBAL ID：200903046195333357

電磁波素子

Inventor： 本津 茂樹 ,  西川 博昭 ,  石井 順也 ,  仲森 昌也 ,  藤巻 朗 ,  田畑 仁 ,  川合 知二
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団
Agent (1)： 西澤 利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999206646
Publication number (International publication number)：2001036155
Application date： Jul. 21, 1999
Publication date： Feb. 09, 2001
Summary：

【要約】【課題】 デバイス効率を低下させずに、共振周波数や位相速度を大きく変化させることが可能であるチューナブルマイクロ波素子を提供する。【解決手段】 超伝導体薄膜(2)、強磁性体薄膜(3)および強誘電体薄膜(4)、または、超伝導体薄膜および強誘電性と強磁性を併せ持つ薄膜を積層具備するものとする。

Claim (excerpt)：

超伝導体薄膜、強誘電体薄膜および強磁性体薄膜、または、超伝導体薄膜とともに強誘電性と強磁性を併せ持つ薄膜が積層具備されていることを特徴とする超伝導電磁波素子。

IPC (4)：

H01L 39/22 ZAA ,  H01P 1/18 ZAA ,  H01P 1/19 ,  H01P 1/215 ZAA

FI (4)：

H01L 39/22 ZAA D ,  H01P 1/18 ZAA ,  H01P 1/19 ,  H01P 1/215 ZAA

F-Term (22)：

4M113AC25 ,  4M113AC44 ,  4M113AD36 ,  4M113BA03 ,  4M113BA04 ,  4M113BA14 ,  4M113CA34 ,  4M113CA35 ,  5J006HB03 ,  5J006HB05 ,  5J006HD04 ,  5J006HD05 ,  5J006HD08 ,  5J006JA01 ,  5J006LA02 ,  5J006LA11 ,  5J006MA08 ,  5J006MA13 ,  5J006NA08 ,  5J006PB04 ,  5J012GA11 ,  5J012JA05