半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：飯阪泰雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000304399
Publication number (International publication number)：2002110715
Application date： Oct. 04, 2000
Publication date： Apr. 12, 2002
Summary：

【要約】【課題】有機基板に対する半導体チップのフリップチップ実装において、アンダーフィル樹脂の熱硬化工程における接合部の接合強度信頼性の低下を抑制できる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】半導体チップ10と有機基板12との間に充填したアンダーフィル樹脂15Aの熱硬化工程を、アンダーフィル樹脂15Aの硬化温度T2よりも低い温度T1で所定時間加熱する多段階の加熱工程とすることにより、有機基板12の急激な加熱による熱膨張を緩和する。

Claim (excerpt)：

有機部材からなる回路基板上に半導体チップを接合する接合工程と、前記接合された回路基板と前記半導体チップとの間に熱硬化性樹脂を注入、充填する樹脂注入工程と、前記充填した熱硬化性樹脂を硬化温度に加熱して硬化させる熱硬化工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記熱硬化工程を、前記硬化温度より低い温度から前記硬化温度まで、多段階の温度でそれぞれ所定時間加熱する工程とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/56 , H01L 21/60 311

FI (2)：

H01L 21/56 E , H01L 21/60 311 S

F-Term (6)：

5F044LL11 , 5F061AA01 , 5F061BA03 , 5F061CA05 , 5F061CB13 , 5F061DB01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-315560 Applicant：日本電気株式会社

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