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J-GLOBAL ID:200903046218460009
フェイスダウンボンディング方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
吉田 精孝
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994223682
Publication number (International publication number):1996088249
Application date: Sep. 19, 1994
Publication date: Apr. 02, 1996
Summary:
【要約】【目的】 電子部品の接続用端子電極のピッチを狭く形成しても不具合を生じないフェイスダウンボンディング方法を提供する。【構成】 IC1の底面1aに形成された接続用の端子電極1bにワイヤーボンダーを用いてスタッドバンプ1cを形成し、回路基板2上に形成されたIC1の接続用の電極2aに半田よりなるスタッドバンプ2bをワイヤーボンダーを用いて形成し、端子電極1bと電極2aとを対向させ、バンプ2bを加熱して溶融させ、IC1の端子電極1bと回路基板2上の電極2aとを導電接続する。【効果】 接合材料を少量且つ定量的に高位置精度で供給することができるため、端子電極1bのピッチを狭く形成することができ、実装密度を向上させることができると共に、バンプ1c,2bを同一設備を用いて形成できるので、製造工程を簡略化することができる。
Claim (excerpt):
回路基板に電子部品を導電接続するフェイスダウンボンディング方法において、前記電子部品の底面に形成された接続用端子電極にバンプを形成し、前記回路基板上の前記電子部品の搭載位置には、前記電子部品の接続用端子電極に対応する位置に接続用電極を設けると共に、該接続用電極に接合材料よりなるバンプを形成し、前記電子部品の接続用端子電極と前記回路基板上の接続用電極とを対向させて導電接続することを特徴とするフェイスダウンボンディング方法。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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特開昭57-073947
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特開昭64-028931
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特開平4-225542
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半田バンプの形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-336846
Applicant:株式会社富士通ゼネラル
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ICチップの接続構造およびその方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-035813
Applicant:カシオ計算機株式会社
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半導体集積回路装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-116266
Applicant:株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
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