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J-GLOBAL ID：200903046237860484

燐ドープシリコン膜生成方法及びその反応炉

Inventor： 本郷 章彦 ,  佐藤 武敏 ,  古野 誠
Applicant, Patent owner： 国際電気株式会社
Agent (1)： 三好 祥二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993204649
Publication number (International publication number)：1995045529
Application date： Jul. 27, 1993
Publication date： Feb. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】燐ドープシリコン膜生成に於いて、燐ドープシリコン膜生成反応炉内での位置の相違により、ウェーハ間での膜中の燐濃度、抵抗率の相違が生ずるのを防止する。【構成】反応室上流側よりシランガス及びフォスフィンガスを供給し、下流側よりフォスフィンガスを供給し、下流に向かう程フォスフィンガスが消費され燐濃度が低下するのを補い、燐濃度を均一にする。

Claim (excerpt)：

反応室上流側よりシランガス及びフォスフィンガスを供給し、下流側よりフォスフィンガスを供給することを特徴とする燐ドープシリコン膜成膜方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭62-052200
  
• 特開平3-170676
  
• 減圧気相成長装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-001942   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平4-236422