半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：外川英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996340282
Publication number (International publication number)：1998189588
Application date： Dec. 20, 1996
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】多層配線工程における層間絶縁膜形成において、ベース絶縁膜(第一の層間絶縁膜)としてプラズマSiN膜を適用する場合、プラズマSiN膜自体が満足すべき水分に対するブロック特性を有していないことによるホットキャリア信頼性劣化と、プラズマSiN膜が下層アルミニウム配線のストレスマイグレーションを引き起こす事による配線寿命劣化という極めて重大な問題点があり、上記2つの問題を同時に回避する事が極めて困難であった。本発明では、従来トレードオフの関係にあったホットキャリア信頼性劣化やストレスマイグレーション耐性劣化の問題を同時に回避できる新規なベース絶縁膜構造及びその形成方法を提供する事を目的としている。【解決手段】半導体基板上に形成された素子や配線を被膜するベース絶縁膜(第一の層間絶縁膜)としてプラズマSiNを適用する場合に、水素濃度が1.5E22cm-3以上、圧縮性ストレスが175MPa以上300MPa以下であるプラズマSiN膜を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記基板上に設けられた水素濃度が1.5E22cm-3以上の窒化シリコン膜と、前記窒化シリコン膜上に設けられた絶縁膜とを備えた事を特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/318 , H01L 21/31 , H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/318 M , H01L 21/31 C , H01L 21/90 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

絶縁膜の成膜方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-266787 Applicant：ソニー株式会社

Return to Previous Page