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J-GLOBAL ID：200903046244112493

ウエハ処理装置

Inventor： 菅野 誠一郎 ,  枝村 学 ,  有働 竜二郎 ,  荒井 雅嗣 ,  田中 潤一 ,  金井 三郎 ,  西尾 良司 ,  坪根 恒彦 ,  荒巻 徹
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立ハイテクノロジーズ
Agent (1)： 武 顕次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004261310
Publication number (International publication number)：2006080222
Application date： Sep. 08, 2004
Publication date： Mar. 23, 2006
Summary：

【課題】 連続的にウエハを処理した場合のウエハ温度の変動を抑えることができるようにしたウエハ処理装置を提供すること。 【解決手段】 真空チャンバ9内のウエハステージ2のセラミック板15の上に順次1枚づつウエハ1を載置し、このときウエハ1とセラミック板15の間に導入される熱伝導性ガスの圧力を調整してウエハ1の温度を制御し、プラズマ6を用いて順次加工して行く際、伝熱ガスの圧力をウエハ毎に調整する処理とエージング条件の最適化による処理及びヒータ条件の最適化による処理のいずれ実行してロット内ウエハ温度変動を低減するかが選択でるようにしたもの。選択した処理項目については、処理装置の制御コンピュータにより演算することで処理条件を決定し、この決定に基づき処理する。 ロット内のウエハ温度変動を容易な操作で低減することができるので、特に温度の影響が大きな処理などでも極めて再現性のよいプラズマ処理を得ることができる。 【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

複数枚の半導体ウエハを順次1枚づつウエハステージに載置して連続的にプラズマ加工するウエハ処理装置において、 前記ウエハステージの温度を測定する手段を備え、 前記半導体ウエハと前記ウエハステージ間に導入する熱伝導ガスの圧力を、前記温度測定手段により測定したウエハステージ温度に基づいて、処理中のウエハ毎に調節することを特徴とするウエハ処理装置。

IPC (1)：

H01L 21/306

FI (1)：

H01L21/302 103

F-Term (8)：

5F004BB22 ,  5F004BB26 ,  5F004CA02 ,  5F004CA04 ,  5F004CB12 ,  5F004DA00 ,  5F004DA22 ,  5F004EA13

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• ドライエッチング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-272898   Applicant：菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社, 三菱電機株式会社