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J-GLOBAL ID：200903046252318793

導電性膜形成用組成物、導電性膜およびその形成法

Inventor： 横山 泰明 ,  松木 安生 ,  迫野 郁夫 ,  小林 和樹 ,  竹内 安正
Applicant, Patent owner： JSR株式会社 ,  シャープ株式会社 ,  株式会社国際基盤材料研究所
Agent (1)： 大島 正孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002211236
Publication number (International publication number)：2004006197
Application date： Jul. 19, 2002
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：

【課題】多くの電子デバイスに好適に使用できる配線や電極を容易かつ安価に形成しうる導電性膜形成用組成物、それを用いた膜の形成方法、その形成方法により形成される導電性膜、ならびにその膜からなる配線または電極を提供すること。【解決手段】アミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体と有機溶媒を含有する導電性膜形成用組成物およびそれを基板に塗布し、熱処理および/または光照射して導電性膜例えば電極、配線を製造する。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

アミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体および有機溶媒を含有することを特徴とする導電性膜形成用組成物。

IPC (9)：

H01B5/14 ,  C23C18/08 ,  C23C18/10 ,  C23C18/14 ,  H01B13/00 ,  H01J9/02 ,  H01L21/288 ,  H05K3/10 ,  H05K3/24

FI (10)：

H01B5/14 Z ,  C23C18/08 ,  C23C18/10 ,  C23C18/14 ,  H01B13/00 503D ,  H01B13/00 503Z ,  H01J9/02 R ,  H01L21/288 Z ,  H05K3/10 C ,  H05K3/24 Z

F-Term (41)：

4K022AA01 ,  4K022AA02 ,  4K022AA03 ,  4K022AA04 ,  4K022AA13 ,  4K022AA41 ,  4K022AA43 ,  4K022BA02 ,  4K022BA18 ,  4K022BA22 ,  4K022BA35 ,  4K022BA36 ,  4K022CA08 ,  4K022DA06 ,  4K022DA08 ,  4K022DB01 ,  4K022DB11 ,  4K022DB24 ,  4K022DB30 ,  4M104BB02 ,  4M104BB07 ,  4M104BB14 ,  4M104DD51 ,  4M104HH14 ,  5C027BB01 ,  5E343AA02 ,  5E343BB06 ,  5E343BB16 ,  5E343BB17 ,  5E343BB28 ,  5E343BB35 ,  5E343BB48 ,  5E343BB71 ,  5E343DD01 ,  5E343DD69 ,  5E343ER35 ,  5E343ER45 ,  5E343GG11 ,  5G307GA08 ,  5G323AA03 ,  5G323CA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 薄膜の形成方法および形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-276266   Applicant：日本電気株式会社
• 金属パターンの形成方法及び金属配線パターンを有する半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-118120   Applicant：ソニー株式会社