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J-GLOBAL ID：200903046299239808

ポリエチレンテレフタレートの製造方法

Inventor： 野 田 誠 司 ,  坪 井 均 ,  志 村 義 章 ,  神 谷 昌 宏 ,  平 岡 章 二
Applicant, Patent owner： 三井化学株式会社
Agent (1)： 鈴木 俊一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997248578
Publication number (International publication number)：1998139873
Application date： Sep. 12, 1997
Publication date： May. 26, 1998
Summary：

【要約】【課題】共重合ポリエチレンテレフタレートであっても効率的に予備結晶化ができるポリエチレンテレフタレートの製造方法を提供すること。【解決手段】液相重縮合反応工程、予備結晶化工程、固相重縮合反応工程を含むポリエチレンテレフタレートの製造方法において、予備結晶化工程が、(A)PETチップを攪拌下、Tg以上、かつ150°C以下の温度(T1)で加熱してPETを一部結晶化させる工程、(B)PETチップを静置下に、(Tbm-40°C)からTbmまでの範囲の温度に加熱してPETの結晶化度が少なくとも30%になるまで結晶化させる工程(ここでTbmは、DSCを用いて10°C/分の速度で昇温した際に認められる吸熱ピークのうちの副ピークの吸熱開始温度)、(C)PETチップを攪拌下、固相重縮合温度まで加熱、昇温させる工程からなる。

Claim (excerpt)：

エステル化反応工程および液相重縮合反応工程を経て得られたポリエチレンテレフタレートのチップを、加熱結晶化する予備結晶化工程と、予備結晶化したポリエチレンテレフタレートのチップを前記予備結晶化温度以上に加熱する固相重縮合反応工程とを含むポリエチレンテレフタレートの製造方法において、前記予備結晶化工程が、(A)ポリエチレンテレフタレートのチップを攪拌下、Tg以上、かつ180°C以下の温度(T1 )で加熱してポリエチレンテレフタレートの結晶化度が少なくとも3%になるまで結晶化させる工程、(B)ポリエチレンテレフタレートのチップを静置下に、(Tbm-40°C)からTbmまでの範囲の温度(T2)に加熱してポリエチレンテレフタレートの結晶化度が少なくとも30%になるまで結晶化させる工程(ここでTbmは、該ポリエチレンテレフタレートを示差走査型熱量計を用いて10°C/分の速度で昇温した際に認められる吸熱ピークのうちの副ピークの吸熱開始温度)、(C)ポリエチレンテレフタレートのチップを固相重縮合温度まで加熱、昇温させる工程からなることを特徴とするポリエチレンテレフタレートの製造方法。

IPC (3)：

C08G 63/80 ,  C08G 63/183 ,  C08G 63/78

FI (3)：

C08G 63/80 ,  C08G 63/183 ,  C08G 63/78

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• ポリエチレンテレフタレートの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-221471   Applicant：三井石油化学工業株式会社