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J-GLOBAL ID：200903046307755543

半導体発光素子

Inventor： 宮崎 公一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993242952
Publication number (International publication number)：1995106698
Application date： Sep. 29, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 成長時の不純物の不必要な拡散、特に活性層に及ぶ拡散をより確実に抑制して、活性層近傍の局在する不純物の位置を制御することにより高い信頼性の半導体発光素子を提供する。【構成】 半導体基体1上に少なくとも第1導電型のクラッド層2、活性層5及び第2導電型のクラッド層8を有し、少なくとも一方のクラッド層中に歪層3、7を設ける。

Claim (excerpt)：

半導体基体上に少なくとも第1導電型のクラッド層、活性層及び第2導電型のクラッド層が設けられ、少なくとも一方のクラッド層中に歪層が設けられて成ることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-317385
  
• AlGaInP系可視光半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-277212   Applicant：三洋電機株式会社
• 特開平4-317385