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J-GLOBAL ID：200903046352424140

半導体装置の製造方法

Inventor：
牧田 直樹

About 牧田 直樹


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996293547
Publication number (International publication number)：1998144923
Application date： Nov. 06, 1996
Publication date： May. 29, 1998
Summary：
【要約】【課題】 高性能で且つ信頼性の高い薄膜半導体装置を実現する。【解決手段】 絶縁表面を有する基板上に形成された結晶性を有するケイ素膜を用い、該ケイ素膜に活性領域が構成されたMOS型半導体装置であって、前記活性領域は、その最表面が薄膜エッチングされた後、大気中に曝すことなく、上層の絶縁膜でカバーされ形成されたことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
絶縁表面を有する基板上に形成された結晶性を有するケイ素膜を用い、該ケイ素膜に活性領域が構成されたMOS型半導体装置であって、前記活性領域は、ケイ素膜の最表面が薄膜エッチングされた後、大気中に曝すことなく、上層の絶縁膜でカバーされ形成されたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (4)：
H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 627 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 半導体素子の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-059231   Applicant：富士ゼロックス株式会社
  • 特開昭62-262431
  • 薄膜半導体集積回路
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-156515   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
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