半導体レーザ装置およびその製造方法、並びに、ピックアップ装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：青山葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998205164
Publication number (International publication number)：2000036639
Application date： Jul. 21, 1998
Publication date： Feb. 02, 2000
Summary：

【要約】【課題】 780nm帯と650nm帯との発光波長を安定して得る。【解決手段】第1発光部1は、n-GaAs基板5の一側に形成されてダブルヘテロ接合構造および電流阻止層でなる。第2発光部2は、n-GaAs基板5の他側に形成されてダブルヘテロ接合構造および電流阻止層でなる。第1発光部1のダブルヘテロ接合構造と電流阻止層との材料はAlGaAsとGaAsである。また、第2発光部2のダブルヘテロ接合はAlGaInPとGaInPとである。こうして、第1発光部1では、波長が780nmの光を出射する一方、第2発光部2では、波長が650nmの光を出射する。こうして、CD-Rメディアを含めた総てのDVDメディアおよびCDメディアの情報を読み出すことを可能にする。

Claim (excerpt)：

半導体基板における一方の面側に設けられた第1活性層と、上記半導体基板における他方の面側に設けられた第2活性層を備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。

F-Term (8)：

5F073AA07 , 5F073AA89 , 5F073AB04 , 5F073BA06 , 5F073CA04 , 5F073CA14 , 5F073CB02 , 5F073DA06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-136477 Applicant：日本板硝子株式会社
特開昭58-134492
特開平4-032288

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