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J-GLOBAL ID：200903086459174980

半導体ウエハおよびその製造方法並びにそれを使用した半導体装置の製造方法

Inventor： 金井 明 ,  清水 博文 ,  佐藤 友美 ,  鈴木 範夫
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 梶原 辰也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996078397
Publication number (International publication number)：1997246130
Application date： Mar. 06, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】 位置や結晶軸方向を同定できる円形ウエハの提供。【解決手段】 円形ウエハ1の製造方法は、半導体インゴットが円柱形状に研削されたブロック11の所定の結晶面方位に縦溝12が切設される縦溝形成工程と、縦溝が切設されたブロックからV溝14を有する薄板13を切り出すスライシング工程と、薄板におけるV溝の内側にレーザー16を照射して物性が他部と異なる溶融痕18を形成する物性特異部形成工程と、V溝を除去し溶融痕18側の主面を平坦化し表面が平坦で内部の格子歪19が他と異なる特徴部5を円形の半導体基板2に局所的に形成する特徴部形成工程とを備えている。【効果】 特徴部の検出で円形ウエハを位置合わせできる。円形ウエハはIC製造時にガス流の乱れや熱応力転位を防止できる。特徴部は内部の物性が局所的に異なるだけのため、歩留りを悪化させない。

Claim (excerpt)：

内部の物性が他部と異なる特徴部が半導体基板に局所的に形成されていることを特徴とする半導体ウエハ。

IPC (5)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/68 ,  H01S 3/00 ,  H01S 3/18

FI (5)：

H01L 21/02 B ,  H01L 21/322 E ,  H01L 21/68 F ,  H01S 3/00 B ,  H01S 3/18